パワーデバイスでは、現在、新材料SiCを使ったSiC MOSFETによる性能競争が始まっています。中でもSJ(Super Junction)構造の導入はSiC MOSFETの性能を劇的に改善するものとして注目されていますが、製造コストが極めて高いことが大きな課題となっています。これに対し、新手法による課題解決に挑戦しています。

- 新プロセス&デバイス構造をシミュレーションで検証
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パワーデバイスでは、現在、新材料SiCを使ったSiC MOSFETによる性能競争が始まっています。中でもSJ(Super Junction)構造の導入はSiC MOSFETの性能を劇的に改善するものとして注目されていますが、製造コストが極めて高いことが大きな課題となっています。これに対し、新手法による課題解決に挑戦しています。
