SiC MOSFET（直線的なIV特性）とIGBT（二次関数的なIV特性）を適切な面積比で並列動作すると広い動作領域でコストと性能の両面で優れた次世代パワーデバイスが実現可能と予測しています。さらに、2つのチップの動作タイミングを最適化することで、スイッチングでのロス低減等、並列化独自のメリットも期待できます。この研究では、この並列接続の優位性をデバイスシミュレーションで検証し、他機関での回路シミュレーション、実測評価との連携で、この構成が次世代パワーデバイスとなり得ることを実証します。
- シミュレーションによる検証
- 共同研究による実証