SOIウェハ上に多様な素子を載せるシステムインテグレーション（集積化）において、600V級の高耐圧MOSFETを内蔵する研究は、1990年代から30年以上にわたり続けられてきました。しかし、従来の技術ではウェハの膜を厚くする必要があり、製造コストの高騰や「ウェハの反り」による製造の難しさが大きな壁となっていました。当研究室では、この課題を一挙に解決する独自のイノベーション技術を複数発案。現在はシミュレーションによる動作検証を進めており、過去30年間の停滞を打ち破るブレイクスルーを目指しています。
- 独自のイノベーション技術の発案
- TCADを用いたシミュレーションによる動作検証